技术编号:6856652
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体刻蚀设备的清洗方法,特别是一种改良的刻蚀设备的腔室清洗方法。背景技术 在半导体器件的制造中,集成电路或平板显示器上的不同的材料层面一般都是由化学和物理沉积或刻蚀形成的。广义而言,刻蚀技术包含将材质整面均匀移除,或是将有图案的部分选择性去除。刻蚀一般都在等离子工艺体系中的腔室中进行。刻蚀设备的腔室清洗方法,用于清除了腔室内的污染颗粒,改善了产品的质量。常规的清洗方法为呼吸式清洗法,即向腔室充入一定的气体,然后再将腔室的气体抽出,同时也将污染物...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。