技术编号:6856867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种测试装置及方法,特别是有关于一种移动正离子污染(Positive Mobile Ion Contamination,以下简称为PMIC)的测试装置及方法。早期MOS技术发展所面临的最严重问题之一,便是被称为″移动离子问题(Mobile ion problem)″的电性不稳定性(Electricalinstability)。亦即,利用平面工艺(Planar technology)制成的MOS晶体管组件,其门限电压(VT)将会更负于理论预测值...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。