技术编号:6856870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于集成电路保护技术,特别是关于一种静电放电保护电路,它适于应用在操作电压超过供应电压范围的电路内。在亚微米CMOS的中,静电放电(electrostaticdischarge)效应是评价集成电路可靠度良劣时所需考虑的重要因素之一。请参阅第1图,第1图是为一公知的静电放电保护电路制于半导体基底的剖面图,此静电放电保护电路是一侧向半导体控制整流器(Lateral Semiconductor Controlled Rectifier)。如第1图所示,标...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。