技术编号:6856876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种制造分离式栅极非挥发性存储单元存储单元(NVM)的改进方法,且特别是有关于一种用以制造选择栅极自我对准于浮接栅极的分离式非挥发性存储单元存储单元的改进方法,因此可排除对不准的问题,并且可在不需要大规模升级蚀刻平板印刷设备的情况下,使得存储单元的线宽可进一步被缩小。非挥发性存储单元或非挥发性电性可改变的半导体存储元件具有极小的尺寸,并且已经成为一种重要的每天耗材。一般来说,电可改变性可利用使位在浮接栅极(未连接任何导电组件)以及硅基底间所谓...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。