技术编号:6856877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种自行对准接触的方法,特别是有关于一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触的工艺方法。半导体集成电路的制作是极其复杂的过程,目的在于将特定电路所需的各种电子组件和线路,缩小制作在一小面积基底上。其中,各个组件必须藉由适当的内连导线(interconnect)来作电性连接,方得以发挥所期望的功能。一般所谓集成电路的金属化工艺(metallization),除了制作各层导线图之外,并藉助介层窗(contact/via)构造,作为组件接触区与导线之间,或...
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