技术编号:6857185
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶片直接键合,特别是利用于Si基光电子集成和光子集成器件方面的晶片直接键合过程中实验参数的优化的方法。背景技术 半导体直接键合技术的出现不仅提供了对晶格常数大失配材料进行集成而不会导致位错扩展,而且对于微电子和光电子器件集成在材料设计上提供了更多的自由度,这在传统的外延生长技术上是相当难实现的。随着对III-V族半导体材料的越来越广泛的应用,利用晶片键合方法实现III-V族半导体材料与Si的键合吸引了越来越多人的兴趣。前面已经有学者有过将GaAs...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。