技术编号：6857250
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系涉及集成电路的抗静电放电技术，特别是涉及侧向半导体控制整流器的环形组件结构，以较小的布局面积提供较佳的静电放电保护能力。有鉴于半导体技术的进步，CMOS组件的尺寸已降至亚微米，甚至半微米等级。而随此先进技术造成的组件型态，包括有如甚薄的栅极氧化层、较短的晶体管信道区、源极和漏极漏极区的浅结(shallow junction)、具有轻掺杂漏极(LDD)特性的结构、以及金属硅化物的扩散(silicided diffusion)工艺等等，俱皆减弱由此CM...
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