技术编号：6857264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的形成方法，尤其涉及一种。背景技术 在集成电路元件的发展过程中，藉由缩小元件的尺寸可达到高速操作和低耗电量的目的。然而，由于目前缩小元件尺寸的技术遭受到工艺技术瓶颈、成本昂贵等因素的限制，所以需发展其他不同于缩小元件的技术，以改善元件的驱动电流。因此，有人提出在晶体管的沟道区利用应力(stress)控制的方式，来克服元件缩小化的极限。此方法为藉由使用应力改变硅(Si)晶格的间距，以增加电子和空穴的迁移率(mobility)，进而提高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。