技术编号:6857268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及6F2存取晶体管阵列,该阵列用于具有位线的半导体存储器件,还涉及排列在一个半导体衬底的图案表面之上的存储器件。本发明进一步涉及一个具有6F2单元尺寸的半导体存储器件。背景技术 半导体存储单元通常包括一个用于储存数据的存储器件以及一个用于存取储存在存储器件中数据的存取器件。在DRAM存储单元中,数据的储存是通过使储存电容器的充电和放电进行的。在堆叠的电容器型DRAM存储单元中,电容器放置在存取器件的顶端。典型的是把场效应存取晶体管(FET)作为存取...
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