技术编号：6857281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及静电放电(ESD)保护。更特别地，本发明为高压集成电路(IC)提供ESD保护。背景技术 在具有较高电压容差的高压IC中，通常很难提供ESD保护。高压器件的击穿电压必须比高压IC的工作电压高。ESD保护必须提供比高压IC的工作电压高、比高压器件的击穿电压低的ESD触发电压。高压IC的工作电压通常接近高压器件的击穿电压，从而使得ESD触发电压的容许范围很窄，且很难达到。常规的IC器件，例如金属氧化物半导体(MOS)、场效应晶体管(MOSFET)和...
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