技术编号:6857290
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法,更具体地,涉及一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的滤色器阵列及其重新形成(reforming)方法,以提高器件的可靠性。背景技术 通常,CMOS图像传感器的制造包括在形成金属线后提供钝化层,以保护器件不受湿气和擦伤。在形成焊盘(pad)开口后接着在钝化层上形成滤色器阵列。然而,在形成滤色器阵列期间,金属焊盘的表面可能被腐蚀或损坏。为了使金属焊盘的表面不受损坏,在CMOS图像传感器中形成盖氧化层(ca...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。