技术编号:6857394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米压印技术,特别是一种应用在金属纳米结构制备方面的负型纳米压印方法。背景技术根据2003年版的国际半导体技术路线图预测,器件特征尺寸将在2008年前后达到70纳米以下。届时现行的光学光刻技术将因光刻胶和掩模板材料以及光源的限制而接近其技术极限,如果不能克服这一技术屏障,集成电路将无法继续缩小下去,因此新一代的纳米结构加工技术成为研究热点。从基本的发展原则出发,新的技术途径必须在尺寸、速度、功能和成本上获得平衡。半导体行业的技术研究人员对传统...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。