技术编号:6857477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种图像传感器,且更具体地,涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法,其中光的会聚效率被最大化以改进图像传感器的特性。背景技术 图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体装置。图像传感器被分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和CMOS图像传感器。CMOS图像传感器包括感测光的光电二极管区域以及处理被感测的光以产生电信号的CMOS逻辑电路区域。如果光电二极管的光接收量大,则图像传感器具有优秀的光灵敏度特性。为了增强光灵敏度,有...
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