技术编号:6857487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种垂直CMOS图像传感器的制造方法,更特别地,涉及一种通过控制离子注入的种类(或元素)、剂量和能量来减小或最小化(注入)插头中的径向扩散的垂直CMOS图像传感器的制造方法。背景技术 通常,图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可被分为电荷耦合器件图像传感器CCD以及CMOS图像传感器。在CCD的情况下,金属氧化硅MOS电容器彼此相邻布置,并且将电载流子存储在MOS电容器中并且从该MOS电容器中传递。在CMOS图像传感器中,M...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。