技术编号:6857492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电可擦可程序化非挥发性内存,尤其涉及一种以高灵敏度读取记忆胞的电荷捕获结构内容的电荷捕获内存。背景技术 基于电荷储存结构的电可擦可程序化非挥发性内存技术目前应用在许多方面,如EEPRPM和闪存中。而EEPROM和闪存也采用许多种记忆胞结构。随着集成电路体积的缩小,由于其制造过程的可测性和简单性,基于电荷捕获绝缘层的记忆胞结构引起人们很大的兴趣。基于电荷捕获绝缘层的记忆胞结构例如工业名称为PHINES的结构。这些记忆胞是透过在电荷捕获绝缘层如氮...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。