技术编号:6857567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法,更具体地,涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法,其中获得了更好的器件可靠性。背景技术 一般地,图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以包括电荷耦合器件(CCD)或CMOS图像传感器。CCD包括呈矩阵排布的多个光电二极管(PD),用于将光信号转换成电信号;多个垂直电荷耦合器件(VCCD),沿垂直方向形成于光电二极管之间,用于沿垂直方向转移由各个光电二极管产生的电荷;多个...
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