技术编号:6857795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非挥发性半导体内存技术,特别是涉及一种较少自我对准接触数组,且为三多晶硅栅极,以及由源极注入电子的快擦写存储单元(Flash memory)装置及其制造方法。附图说明图1A到图1C显示美国专利第5,280,446号,由Ma等人在1994年1月8日申请的较少自我对准接触数组,且为三个多晶硅栅极,以及由源极注入电子的快擦写存储编程只读存储器单元(其后以flashEPROM简称)。于图1A中,每一个单元包括一漏极扩散区40,一源极扩散区50,一浮置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。