技术编号：6858447
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置，特别是有关半导体衬底的清洗。通常，用静电现象来说明粒子在半导体衬底表面的吸附脱离。也就是说，半导体衬底表面与粒子表面以同极性带电时，由于静电反作用力而使粒子脱离半导体衬底表面。并且，在碱性的清洗液中，半导体衬底表面与粒子表面以同极性带电。因此，半导体装置制造过程中，在半导体衬底的清洗工序中，广泛使用例如氢氧化铵水溶液或过氧化氢混合液(以下称之为APM)等碱性清洗液。可是，由于布线材料所用的钨具有与过氧化氢之类氧化...
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