技术编号：6858733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大规模集成电路制造工艺中制作微细光刻图形所用的掩模及其制作方法，尤其涉及一种用光致抗蚀剂膜层构成的单层膜结构的衰减相移掩模和该掩模的制作方法。随着大规模集成电路的不断发展，微细图形要求越来越高的图形分辨力。采用相移掩模技术可以在现有光刻设备的基础上，有效地提高光刻图形的分辨力。相移掩模的种类有多种，先期研究制作的类型有Levenson交替型、无铬型、边沿型等，这些类型的相移掩模只能分别适用于不同类型的图形，并且都需要特殊的制作方法，因此存在着应用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。