技术编号:6859942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管及其制造方法,并尤其涉及一种用于利用硅化物减小源极和漏极之间电阻的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。附图说明图1是常规的金属氧化物半导体场效应晶体管截面图。参见图1,栅绝缘层110和栅电极120顺序地叠置在半导体衬底100上。在栅电极120的每一侧上形成一个隔离物150。在半导体衬底100中形成深源/漏区130和源/漏延伸区140。在每个深源/漏区130的预定上部中可以形成一个硅化物层160。在每...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。