技术编号:6860069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种太阳电池的背电极。背景技术单晶硅太阳电池的原料为高纯度(99.999%)的单晶硅。目前大部分利用制备半导体器件所用的单晶切除的头尾料或废次单晶硅,经过单晶炉的复拉,生产专供太阳电池使用的单晶硅。国外也有用较纯硅材料直接拉制单晶硅供太阳能电池使用的。制造单晶硅太阳电池,首先将单晶硅经滚圆和切边然后切成约0.3毫米的薄片。在硅片上进行减薄和绒面制作。扩散是在高温扩散炉中进行。在硅片浅层上形成P-n结。采用银浆、铝浆丝网印刷法制作上电极栅线,和...
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