技术编号:6861821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种伴随介电层形成阻挡层的半导体制程方法,尤其涉及一种利用同一高密度等离子体化学气相沉积设备,而在形成一介电层过程中,先形成一阻挡层的半导体制造方法。在逻辑元件的半导体制造技术中,一般在多晶硅栅极及硅化金属层形成后,会在元件上形成一阻挡层,接着,在阻挡层之上形成一介电层。如上所述,现有的阻挡层通常利用等离子体加强化学气相沉积(PECVD)法来形成,而介电层通常利用高密度等离子体加强化学气相沉积(HDPCVD)法来形成。如附图说明图1所示,在现有技...
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