技术编号:6864312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种消除浅沟槽隔离区(shallow trench isolation;STI)的漏电流(leakage current)的方法,特别是有关于一种通过将沟槽的角落(corner)圆化,以消除所形成的浅沟槽隔离区的漏电流的方法。传统使用的LOCOS隔离法,由于鸟嘴效应与表面不平坦的限制,在0.25微米以下的电路制作多已被STI所取代。STI的流程如下所述。首先,在硅基板上成长垫氧化层(Pad oxide)与氮化硅层(nitride),以微影程序...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。