技术编号:6864861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及光电的一种LED外延芯片,尤其涉及一种具有复合结构的LED芯片外延衬底。背景技术在制作GaN基LED芯片时,主要是将InGaN、GaN等材料和器件的外延层结构生长在蓝宝石、SiC、Si等衬底上。蓝宝石有许多优点,例如首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、 成本低、晶体质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。但使用蓝宝石作为GaN基LED外延衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配、...
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