技术编号：6865185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及绝缘体上硅(SOI)半导体集成电路(IC)，更具体地涉及一种选择性的绝缘体上硅(SOI)半导体结构，该结构包括用于所有其内存在的SOI器件的体接触，以及直流(DC)节点扩散区，在该直流节点扩散区内没有埋置氧化物直接地位于DC节点下面。背景技术 在半导体加工中，绝缘体上硅(SOI)工艺变得越来越重要，因为它允许形成高速的集成电路。在SOI工艺中，绝缘材料，例如埋置氧化物，使顶部含硅层与下面的含硅基片(以下称为底部含硅基片)电隔离。顶部含硅层，在业界...
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