技术编号:6865200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片的制造方法、外延基板的制造方法以及GaAs晶片。背景技术 专利文献1中记载有洗涤方法。在该方法中,通过将GaAs基板在氢氟酸中浸渍10分钟,连同自然氧化膜将杂质从基板表面除去,然后,在纯水中将基板洗净(rinse)。在制造GaAs基板中的洗涤工序中,进行通过盐酸、氢氟酸等酸洗涤液除去GaAs基板表面的有机物或金属等的处理。在专利文献2中记载有一种GaAs半导体晶体基板的洗涤方法。在该方法的洗涤工序中,在进行了除...
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