技术编号：6865330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由使之适合于高功率、高温和高频应用的材料制成的半导体器件。正如熟悉半导体的人们已知的那样，对于较低的功率和(就Si来说)较低频率的应用，诸如硅(Si)和砷化镓(GaAs)的材料已经在半导体器件方面获得广泛应用。然而，由于相对小的带隙(例如，在室温下对于Si为1.12eV，对于GaAs为1.42)和相对小的击穿电压，这些半导体材料还不能在所需的程度上进入高功率高频率应用。因此，对高功率高温和高频应用及器件的兴趣已经转向宽带隙半导体材料如碳化硅(在室...
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