技术编号：6865341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施一般地涉及用于半导体处理的无电镀沉积系统。背景技术 小于100纳米尺寸特征的金属化是当代和下几代集成电路制造处理的基本技术。更具体地，在诸如超大规模集成型器件(即，具有带几百万个逻辑门的集成电路的器件)的器件中，处于这些装置的核心的多级互连通常用通过用导体材料(诸如铜)填充高宽深比(即，大于约25∶1)的互连特征形成。在这些尺寸下，常规的沉淀方法(例如无电镀气相沉积和物理气相沉积)不能可靠地填充互连特征。因此，电镀技术(即，电镀和无电镀)已经出...
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