技术编号:6865352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种按权利要求1的前序部分所述的薄膜LED。该专利申请要求德国专利申请10 2004 003 986.0的优先权,特此通过回引纳入该德国专利申请的公开内容。一种用于制造光电器件、尤其是用于制造基于氮化物化合物半导体的发光二极管的公知方法基于所谓的薄膜工艺。在该方法中,首先在生长衬底上外延地生长尤其是包括发射辐射的活性层的功能性半导体层序列,然后将新的载体涂敷在半导体层序列的位于该生长衬底对面的表面上,并且随后分离该生长衬底。由于针对氮化物化合物半...
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