技术编号:6865361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓化合物半导体多层结构,用于制造发射紫外至蓝光或者绿光的高功率发光器件,还涉及制造该半导体多层结构的方法。背景技术 近年来,作为用于制造发射短波长光的发光器件的材料,氮化镓化合物半导体已经引起了兴趣。通常,通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或者氢化物气相外延(HVPE)的方法,在由氧化物晶体例如蓝宝石单晶、碳化硅单晶或者III-V族化合物单晶制成的衬底上生长氮化镓化合物半导体。目前,工业中最广泛采用的晶体生长...
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