技术编号:6865775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的设备和方法,且更具体地,涉及一种用于使用等离子体蚀刻半导体晶片的包括等离子体源线圈的等离子体室以及一种用于使用该等离子体室蚀刻晶片的方法。背景技术 近20年来,用于制造超大规模集成(ULSI)电路部件的技术迅速发展。ULSI电路部件迅速发展的原因是已开发了能够支持需要最根本技术的制造技术的各种半导体制造设备。来自上述半导体制造设备中的等离子体室已不仅用于普通的蚀刻工艺,而且还用于沉积工艺,从而其应用范围迅速扩大。等离子体室...
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