技术编号:6865891
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光器件,更具体,涉及其中光输出不被衬底等处的吸收作用减小的半导体发光器件。背景技术 由于GaP半导体衬底在可见光至红外光区段中是透明的,因此在可见光至红外光区段中,它常常用于许多发光器件。通常,如下面的(a1)和(a2)所示使用GaP衬底。(a1)通过直接跃迁在可见光至红外光区段中发光的化合物半导体,如GaAs和AlGaAs,的晶格常数与GaP的晶格常数之间存在略小于4%的差异。因此,在GaP衬底上不能形成用于光发射的化合物半导体的精...
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