技术编号:6866071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种例如MEMS(微机电系统)装置的,特别涉及到关于在阳极连接中放电的对策。背景技术 图8示出了传统的静电电容式半导体物理量传感器的一个实例。如图8所示,在硅半导体衬底1(以下称为硅衬底)的上表面设置绝缘玻璃衬底2,其中,硅衬底1和玻璃衬底2的周边区域(连接区域)5通过阳极连接而结合。对硅衬底1进行蚀刻以形成具有压力传感部4的框架形支座3,该压力传感部4具有相对较薄的壁从而可以弯曲并且可上下移动。压力传感部4的上表面和下表面都用作可移动电极,而上...
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