技术编号:6866144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造可用于制造发光器件例如发光二极管和激光二极管的半导体晶片的方法。背景技术 众所周知pn结发光二极管(LED)是化合物半导体发光器件的一种类型。这种公知的LED的实例包括GaP LED,其具有衬底和磷化镓(GaP)发光层,该磷化镓发光层在衬底顶部上通过外延生长导电的GaP单晶而获得;发射红色光或橙黄至绿色光的LED,该LED具有由砷化铝镓混合晶体(AlXGaYAs0≤X,Y≤1,并且X+Y=1)形成的,或由磷化铝镓铟混合晶体(AlXGaYI...
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