技术编号:6866146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由单晶硅构成的用于形成集成电路等的硅半导体用衬底,以及控制硅半导体衬底的深度方向的缺陷密度分布的热处理方法。背景技术 在半导体集成电路等器件中使用的硅半导体用衬底(晶片),主要是由基于直拉法(CZ法)的单晶硅来制造。CZ法是在石英坩埚内的熔融硅中浸入籽晶,然后提起,进行单晶生长,因此氧会从保持有熔融硅的石英坩埚混入到该单晶硅中。该氧在晶体刚刚凝固后的高温下充分地固溶于晶体,但随着晶体的冷却,溶解度急速降低,所以通常在单晶体中以过饱和状态存在。在从...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。