技术编号:6866261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器阵列(例如DRAM阵列)、形成存储器阵列的方法,和形成位线接触的方法。本发明还涉及形成用于DRAM阵列的存储节点的方法。背景技术 存储器阵列用于程控数据存储器件。例如,动态随机存取存储器(DRAM)通常用于程控存储器存储器件。DRAM一般形成为单个存储器单元的阵列,每个单元都包括晶体管和存储器存储器件。存储器存储器件一般为电容器。电容器形成在跨过DRAM阵列延伸的字线内。跨过DRAM阵列还设置一连串的位线。通过激活特定组合的字线和位线,可从...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。