技术编号:6866285
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体,更具体地涉及。背景技术 对于集成电路来说,限定由半导体器件注入其半导体衬底的电流通常是很重要的。这对于在较高电压和电流下工作的功率集成电路来说尤其重要。此外,希望增大功率集成电路可使用的最大电压。附图说明通过实例说明本发明,但不限于附图,附图中相似的引用标记表示相似的元件,附图中图1示例根据本发明的一个实施例的半导体器件的截面图;和图2是以图解形式示例图1的半导体器件产生的阴极电流和衬底电流的电流-电压(阴极-阳极电压)曲线的示例图。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。