技术编号：6866292
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的来说涉及半导体结构，并且特别涉及用于半导体结构的隔离沟槽。背景技术 隔离沟槽被用于隔离集成电路的有源区。例如，采用隔离沟槽来隔离绝缘体上半导体(SOI)晶片的有源区，其中隔离沟槽延伸到下方的绝缘体。利用这样的结构，将沟槽切削到绝缘体，并且氧化有源层的硅侧墙，以使沟槽的拐角圆滑。之后，以介质材料填充沟槽。一个问题在于，随后能够氧化硅的热处理可能导致氧化物的鸟喙从该沟槽底部开始在有源层的底部下延伸。图1示出了现有技术的晶片的部分剖面。晶片101具有S...
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