技术编号：6866338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅-锗(SiGe)外延(EPI)生长，尤其涉及硅-锗外延生长中的产率改进。背景技术 用以形成NPN器件的典型制造工艺是以晶片上的单晶硅层开始的。然后，在该单晶硅层中形成第一和第二浅沟槽隔离(STI)区。NPN器件的集电极将驻留在夹在第一和第二STI区之间的第一单晶硅区中。接下来在该单晶硅区以及第一和第二STI区的顶面上淀积硅(Si)和锗(Ge)。作为SiGe淀积的结果，第二单晶硅区从第一单晶硅区的顶面生长。而且作为SiGe淀积的结果，第一和第二多...
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