技术编号:6866376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管,尤其涉及使用场板的晶体管。背景技术 AlGaN/GaN半导体材料的制造中的改进已帮助AlGaN/GaN晶体管继续发展,例如用于高频率、高温以及高功率应用的高电子迁移率晶体管(HEMT)。AlGaN/GaN具有大能带隙、高峰值及饱和电子速度值[B.Gelmont、K.Kim及M.Shur的“氮化镓中电子传输的蒙特卡洛仿真”(Monte Carlo Simulation of Electron Transportin Gallium Nitr...
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