技术编号:6866413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法,其中在电容器上形成硬掩膜并且在硬掩膜上构图光致抗蚀剂,其允许通过光致抗蚀剂同时蚀刻电容器和对应的布线层,而不损伤电容器的上极板。背景技术 电容器广泛应用于集成电路技术。一种公知的电容器类型是金属绝缘体金属电容器(MIMCap)。这类电容器具有被介质分开的下导电极板和上导电极板。当制造金属绝缘体金属电容器时,在导电层上构图介质和上极板。然后为了在下导电极板中构图导电层,在介质和上极板上形成光致抗蚀剂。然...
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