技术编号:6866434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件。更具体的,本发明身兼具有掺杂多晶硅和锗化硅叠层的半导体器件。背景技术 形成多晶硅的掺杂和未掺杂区域以及锗化硅(SiGe)的膜叠层用于形成半导体器件的栅电极。发明内容为了实现前述及根据本发明的目的,提供一种用于在处理室中蚀刻衬底上的具有至少一个锗化硅层的叠层的方法。提供了锗化硅蚀刻。将蚀刻剂气体提供到处理室中,其中蚀刻剂气体包括HBr、惰性稀释剂,以及O2和N2中的至少一种。衬底被冷却到40℃以下的温度。将蚀刻剂气体转换成等离子体以蚀刻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。