技术编号:6866455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有小吸收系数的III族氮化物半导体晶体和其高效制造方法,以及具有高发光强度的III族氮化物半导体器件。背景技术 蓝宝石衬底、GaN衬底等,被用作半导体器件例如发光二极管(下面称作LED)或激光二极管(下面称作LD)的衬底。由于蓝宝石衬底具有高的绝缘性,在蓝宝石衬底的背面(指衬底上没有形成具有发光层的半导体层的表面,下同)上设置电极是不可能的。因此,在蓝宝石衬底上形成的半导体层上不但要形成p侧电极,还要形成n侧电极。在这种情况下,由于电流通过具有...
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