技术编号：6866532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路，更具体而言，涉及带有金属电极的电容器。这种电容器尤其适用于存储面的存储单元中。背景技术 电容器的制造日益面临着与高集成密度相关的问题。这是因为增加集成密度意味着减少存储单元的面积，同时还要维持有效的电容量。因此，在现有技术中，有几种方法是可行的。最普通的方法是在沟槽中形成电容器，使得电容器的面积增加，而存储单元的面积不增加。通过使用掺杂的半球状晶粒(HSG，HemisphericalGrain)类型的多晶硅作为底电极，电容器的面积可以进...
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