技术编号:6866593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体而言涉及半导体装置及半导体装置的制造,且更具体而言,涉及半导体装置的金属栅极堆叠结构的制造。背景技术 长期以来,人们一直在制造金属氧化物硅(MOS)晶体管中使用由经掺杂的多晶硅制成的晶体管栅电极。然而,随着栅极及栅极介电质的尺寸的减小,使用经掺杂的多晶硅栅极开始出现问题。多晶硅栅极只能容纳有限量的掺杂剂。当装置的栅电极承受偏压从而使沟道反相时,此种限制可导致栅极与栅极介电质之间界面处的栅极载荷子耗尽。结果,栅极介电质的电气厚度会显著增大,从而使晶...
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