技术编号:6866617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景发明背景光刻被用在半导体器件的制造中。在光刻中,用被称为“光致抗蚀剂”的光敏材料涂敷晶片衬底(诸如硅衬底)。光致抗蚀剂可以被暴露给从掩模(mask)(被称为“掩模版(reticle)”)反射的光或透射通过掩模的光,以将图形从掩模版复制(reproduce)在衬底上。如果掩模版被污染,例如被掩模版的表面上不需要的颗粒污染,则从掩模版反射的光的图形,并且因此在衬底上形成的图形可能不是期望的图形。这可能导致在衬底上形成的微电子或其他器件的故障。附图简要说明附...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。