技术编号:6866634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及扩散阻挡层,更特别地,涉及在低k材料上产生锐利阻挡界面的氮化钽扩散阻挡区域的等离子体增强原子层沉积的方法。背景技术 原子层沉积(ALD)近来已经被研究用于半导体互连技术,尤其是用于衬垫(liner)应用。ALD是逐层薄膜沉积技术,其进行化学物质的交替暴露。用于铜(Cu)互连技术的各种金属衬垫中,钽(Ta)基材料是最广泛使用的材料之一,因为它们提供高度的热和机械稳定性和扩散阻挡属性、以及良好的粘合性,这些都产生良好的可靠性。常规集成方案包括通过...
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