技术编号:6866908
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,具体涉及高迁移率三栅器件(如高迁移率三栅晶体管)及其制造方法。背景技术 为了增强器件性能,绝缘体上硅(SOI)晶体管被建议用于现代集成电路的制造。图1说明了标准的全耗尽绝缘体上硅(SOI)晶体管100。SOI晶体管100包括具有绝缘层104的单晶体硅衬底102,如在其上形成的埋入的氧化物。单晶体硅主体106在绝缘层104上形成。栅电介质层108在单晶体硅主体106上形成并且栅电极110在栅电介质108上形成。源区112和漏...
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