技术编号:6866972
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及用于电子元件的制造的半导体材料衬底尤其是硅晶片的制备。更具体地,本发明涉及用于对一个或多个硅晶片热处理或退火以便从晶片内部或体中减少金属杂质例如铜的浓度的方法。另外,执行本发明的方法可以减少在一个或多个硅晶片的表面上以及体内的集聚的空位缺陷的浓度或尺寸。背景技术 硅器件性能由于金属杂质而下降。过渡金属-包括铜、铁和镍-可在与集成电路制造条件相关联的常规热循环期间溶解和扩散。当从与集成电路的制造相关联的温度冷却时,铜和其它金属可能在晶片表面以...
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