技术编号:6867191
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包含III-V族半导体的常断型半导体器件。背景技术 因为III-V族半导体具有高的击穿电场和高的饱和电子迁移率,所以包含III-V族半导体的半导体器件预计将具有高的击穿电压并将控制大的电流。当前的研究包括对于具有包括氮化镓(GaN)的异质结构的半导体器件的研究,其实例公开于日本早期公开专利申请公布2003-59946号。这种类型的半导体器件之一是具有异质结构的HEMT(高电子迁移率晶体管),该异质结构包括p-GaN层和层叠在p-GaN层的顶表面上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。